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本研究では、金属汚染が一切残留しない条件下でGe単結晶表面を平坦化できる、水中での表面創成プロセスの開発を目指している。本研究期間に、以下に示す知見を得た。
（１）グラフェンに窒素（N）原子をドーピングした。ドーピングは、アンモニア／アルゴン混合ガス中での加熱により行った。（２）電気化学測定により触媒活性を評価した。そして、形成したNドープグラフェンが、白金と通常のカーボン材の中間の活性を持つことを示した。（３）グラフェン触媒をGe表面に散布し、溶存酸素ガスを含む水中に浸漬した。その結果、グラフェン近傍のGe表面が選択的にエッチングされることを見出した。
以上により、本研究の基盤を確立した。
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