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これまでの研究結果から、グラフェン/金属コンタクトの抵抗を低減するためにはグラフェンの状態密度を向上させることが重要であるという指針を示してきた。これに基づき昨年度は、金属とグラフェンの化学結合によるグラフェンの電子の分散関係を変調させることで状態密度を向上させることを試み、コンタクト抵抗を低減させることに成功した。しかしながら、さらなる低減には、異なる手法が必要となる。そこで、最終年度は、コンタクト領域をグラファイト化させることを検討した。コンタクトホールをあけた際に、アモルファスカーボンを堆積させ、さらにNi電極を堆積させる。これを700C以上の高温でアニールすることで、アモルファスカーボンをグラファイト化させることで、多層領域を作り状態密度を向上させるという手法である。アモルファスカーボンとＮｉの割合、アニール温度の条件を変えることで実験を行った。ラマンによる層数判定から高温の方が結晶性の良いグラファイトが成長することが分かった。ただし、薄いＮｉは、高温アニールによるマイグレーションにより微粒子化してしまうため、そのままコンタクト電極として使用することは出来なかった。再度ＥＢリソにより電極形成後、コンタクト抵抗を計測した結果、250Ohmum程度の低いコンタクト抵抗を得た。ただし、高温アニールのためバックゲートのリークが頻繁に起こることから、反応温度の低減は重要な鍵であるといえる。層数が多くなるとグラファイトは垂直方向の電気伝導性が悪いため逆にコンタクト抵抗が悪くなることが予想されることから、数層の成長が期待できる組成比が重要であるといえる。
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