2014 年度研究成果報告書

状態密度の大きく異なるグラフェン・金属界面での電流注入の理解と制御

研究課題

研究課題/領域番号	24686039
研究種目	若手研究(A)
配分区分	一部基金
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東京大学
研究代表者	長汐晃輔東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (20373441)
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31
キーワード	グラフェン / コンタクト抵抗 / 状態密度
研究成果の概要	コンタクト抵抗の低減には、グラフェン側の状態密度を上げる手法が重要となる。本研究では、結合機構を正確に理解するために、金属が接触したときのグラフェンの状態密度を量子容量測定から抽出し、コンタクト抵抗率と状態密度の相関性を明確にした。金属種の違いによってグラフェンの状態密度変化は大きく異なることから、コンタクト金属の選択に明確な解を与えることができる。
自由記述の分野	半導体デバイス工学