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本研究では，窒化物半導体中で発光を抑制する内部電界（ピエゾ電界）を抑制可能な半極性面を成長面とし，InGaNを用いた青色～緑色領域のLD作製を目指した．Siの加工基板を用いることで半極性面を得る手法を用いた．GaN結晶はストライプ状に作製している．Si基板から熱膨張係数に起因する大きな引っ張り応力を受るが，ストライプに沿った引っ張り歪となり，一方でストライプに垂直方向に対しては，圧縮歪となる．この歪が原因となり，InGaN発光の偏光方向がc軸と水平になることが分かった．レーザ構造を作製し，強励起で発光測定を行った結果，c軸と水平方向で大きなゲインを得られ，レーザ発振を確認した．
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