本研究では,窒化物半導体中で発光を抑制する内部電界(ピエゾ電界)を抑制可能な半極性面を成長面とし,InGaNを用いた青色~緑色領域のLD作製を目指した.Siの加工基板を用いることで半極性面を得る手法を用いた.GaN結晶はストライプ状に作製している.Si基板から熱膨張係数に起因する大きな引っ張り応力を受るが,ストライプに沿った引っ張り歪となり,一方でストライプに垂直方向に対しては,圧縮歪となる.この歪が原因となり,InGaN発光の偏光方向がc軸と水平になることが分かった.レーザ構造を作製し,強励起で発光測定を行った結果,c軸と水平方向で大きなゲインを得られ,レーザ発振を確認した.
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