|
有限要素法により、抵抗状態を転移させる時の熱の散逸による素子間の影響を検討した。評価・検証したバラツキ抑制したシングル高速高信頼性多値記録素子から構成された、メモリアレーを試作、評価した。
シングル素子の場合と違って、ウエハ上での素子の初期時の抵抗状態のバラツキ抑制が重要となるため、厳しい監視の下で各プロセスを行った。また、状態転移させる時に生じた各素子の同抵抗レベルのバラツキを評価した。パルスの形状設計によりそのバラツキの抑制法を研究した。有限要素法により素子動作時の素子間の影響を研究した。また、状態転移させる時に熱拡散による素子間の保存した状態への影響を調べた。その影響の抑制法を研究した。
|
