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実用化に向けて相変化メモリにおける多値記録を研究した。多値記録に適する新しいカルコゲナイド材料を開発した。従来のカルコゲナイドへのN添加により、温度に対して薄膜の抵抗率が広範囲で緩やかに変化させることに成功した。Nを添加したSb2Te3相変化材料等を用いた素子を試作し、16値の多値記録を実証した。Ge1Sb4Te7素子において、27値の多値記録と6値の多値記録の繰り返しに成功した。GeTe素子において、nsオーダーでの高速動作を実証し、多値記録の可能性を検討した。また、階段状パルス制御法を用いて高信頼性多値記録を研究した。
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