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本研究の目的は非相反機能をもつリングレーザを用いた光メモリの実現である。光メモリの実現に向けて、(1)曲げ導波路の曲げ損失の評価(2)リングレーザの発振方向制御に必要な光アイソレーションの見積、(3)受動型半導体光アイソレータの設計・作製と評価に取り組んだ。
(1)～(3)により、光メモリの小型化を曲げ半径30μmまで実現する見込みがつき,発振方向の制御に必要な光アイソレーションを見積もり、実証することができた。光メモリを小型化する過程においてリング共振器と入出力光導波路を接続する方向性結合器の深さを場所によって変える必要があり、研究期間終了後も改良を加え、小型の光メモリの実現を目指す。
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