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本研究では、SiC単結晶の溶液成長時のSiC結晶／溶液間界面における界面現象を明らかにするため、高温の成長界面の観察・計測手法を確立し、結晶成長挙動を調査した。
まず、種結晶を通して白色光と単色レーザー光を照射し界面での反射光を捉えて、10-100nmのステップ群からなる界面構造の二次元視野観察と、2nmのステップ計測を実現した。次いで、成長界面の観察を系統的に行い、成長温度と溶媒系が界面構造に与える影響の調査を進めた。Si、Si-Cr、Fe-Si溶媒間での、ステップの安定性の差異を示した。また4H-SiC上に3C-SiCが核発生する現象を直接観察し、異種多形発生機構を提唱した。
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