| 研究成果の概要 |
Zrを用いたZrB2-10vol%MoSi2コンポジットの接合界面においては，Zr4SiやZr2Siなどのケイ化物が観察された．一方で，Tiを用いた接合界面においては，非常に反応が激しく，(Ti,Zr,Mo)Bや(Zr,Mo)B2などの多元系ホウ化物やTiB結晶がウィスカー状に析出することがわかった．室温における四点曲げ強度はTiをインサート材とした接合体で477.7MPa，Zrで439.0MPaであり，コンポジットの曲げ強度である376.8MPaを上回る結果となった．また，高温における強度はTiをインサート材とした接合体で495.3MPa，Zrで190.7MPaであることがわかった．
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