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本研究は申請者らが発見したCePtSi2における圧力誘起超伝導, 巨大磁気抵抗および異方的な近藤散乱の発現機構を解明するため，CePtSi2およびその関連物質のフラックス法による純良単結晶試料を育成し，圧力下における輸送特性測定を行い，主に以下を明らかにした。以下に主な結果を示す。(1)各結晶軸に対して輸送特性を明らかにし，圧力誘起超伝導が価数揺らぎの影響を受けていることを示唆した。(2) 磁化の異方性に対応して，c軸方向の磁気抵抗効果が強大であるのに対し，b軸方向では極端に小さいことを明らかにした。これは異方的な近藤散乱に起因していると考えられる。
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