研究課題
若手研究(B)
半導体へのスピン注入は、従来の半導体デバイスの多機能化に有用であるとされている。本研究では、半導体へのスピン注入源として応用するためにSi基板上への高磁気異方性垂直磁化薄膜の作製に取り組むとともに、材料としてのスピン依存伝導特性の解明に取り組んだ。その結果、界面の作製条件を最適化することで従来よりも高いトンネルスピン偏極率を得ることに成功した。また、Si単結晶基板上にL1_0規則相を有するMnGa薄膜の作製に成功した。
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Journal of Applied Physics
巻: Vol. 115 ページ: 17C704-1–17C704-3
Journal of Physics D : Applied Physics
巻: Vol. 46 ページ: 155001-1–155001-7
10.1088/0022-3727/46/15/155001