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2014 年度 研究成果報告書

スピン偏極弾道電子放出顕微鏡による(GaMn)As電子構造と強磁性発現機構の解明

研究課題

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研究課題/領域番号 24760006
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関東京工業大学

研究代表者

加来 滋  東京工業大学, 理工学研究科, 助教 (80583137)

研究期間 (年度) 2012-04-01 – 2015-03-31
キーワードスピントロニクス / 希薄磁性半導体 / プローブ顕微鏡 / ナノ
研究成果の概要

磁性半導体が磁石の特性を持つ理由を、代表的な物質であるGaMnAsにおいて調べることを目的とした。特に、原子が見えるくらいのナノメートルスケールでその物理を解明するための実験システムの開発と測定を試みた。微弱な特性の違いを検出できるように高精度の顕微鏡(BEEM)を使った測定系を開発した。これにより量子井戸1MLの厚みの違いによる電子状態のわずかな違いを検出できた。さらに、この手法をGaMnAsに適用するため、適切な人工超格子の構造と結晶成長条件を調べた。目的のGaMnAsの部分の情報だけを抽出できるように、現在実験計算両面でさらなる検討を行っている。

自由記述の分野

スピントロニクス

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公開日: 2016-06-03  

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