β－ＦｅＳｉ２表面磁性発現の研究

2013 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 24760022
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 薄膜・表面界面物性
• 研究機関: 茨城大学
• 研究代表者: 永野 隆敏 茨城大学, 工学部, 講師 (70343621)
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2014-03-31
• キーワード: 偏析

研究概要

鉄シリサイドFeSi2に対しての、表面観察と第一原理シミュレーションを合わせることで各表面構造に対応する電荷密度分布と原子位置の対応を可能とした。また、磁性発現の仕組において原子の表面や界面における乱れとの対応を可視化し、第一原理計算における粒界や表面における電荷密度分布評価が有効かどうかを評価するため、金属表面における偏析元素による電荷密度分布と照らし合わせ実験結果との比較も行った。

研究成果

• [雑誌論文] Cs-Corrected STEM Observation and Atomic Modeling of Grain Boundary Impurities of Very Narrow Cu Interconnect (2013)
  • 著者名/発表者名: 永野隆敏、篠嶋妥
  • 雑誌名: ECS Electrochemistry Letters 巻: 2巻 ページ: H23-H25
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Point Defects on Lattice Constant in MgO Thin Film Deposited on Silicon (001) Substrate (2012)
  • 著者名/発表者名: 金子智、永野隆敏
  • 雑誌名: European Physical Journal - Applied Physics 巻: 58巻 ページ: 10302
  • 査読あり
• [学会発表] 微細Cu 配線における粒界偏析元素の直接観察と第一原理計算 (2012)
  • 著者名/発表者名: 永野隆敏, 圓谷哲紀,江口大貴,篠嶋妥
  • 学会等名: 日本金属学会2012年秋期大会
  • 発表場所: 愛媛大学城北キャンパス
  • 年月日: 2012-09-19
• [学会発表] 超微細配線中のCu 粒成長に及ぼす不純物元素の影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 江口大貴,永野隆敏, 圓谷哲紀,篠嶋妥
  • 学会等名: 日本金属学会2012年秋期大会
  • 発表場所: 愛媛大学城北キャンパス
  • 年月日: 2012-09-19
• [学会発表] Cu薄膜の粒成長に及ぼす基板の影響 (2012)
  • 著者名/発表者名: 圓谷哲紀,江口大貴,永野隆敏,篠嶋妥
  • 学会等名: 日本金属学会2012年秋期大会
  • 発表場所: 愛媛大学城北キャンパス
  • 年月日: 2012-09-19
• [学会発表] a-SiGe/SiGe 粒界上偏析構造の第一原理計算 (2012)
  • 著者名/発表者名: 圖師優磨, 山田翔世, 永野隆敏
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演
  • 発表場所: 松山大学文京キャンパス
  • 年月日: 2012-09-13
• [学会発表] a-SiGe/SiGe 粒界上偏析構造の第一原理計算 (2012)
  • 著者名/発表者名: 山田翔世, 圖師優磨, 永野隆敏
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学、早稲田キャンパス
  • 年月日: 2012-03-16