研究課題
若手研究(B)
ナノスケールSiトランジスタにおける数十ナノメートル級の金属電極形成に関する学理構築を目的とし、金属イオン照射によるシリコン表面改質の素過程を原子論的スケールで調査した。イオン銃と走査型トンネル顕微鏡の複合装置を用いて、シリコン表面に対するニッケルイオン照射過程をその場かつ実時間で観察する技術を構築し、初期シリサイド化が空孔型欠陥の近傍で促進されることを明らかにした。また、同観察技術を立体シリコン構造にも応用し、低エネルギーのイオン衝突により誘起される表面ラフネスをその場で評価する手法を提案および実証した。
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