研究課題
若手研究(B)
本研究では新規デバイスコンセプトとして、p型のpoly-Siやa-Si:H薄膜をn型の高In組成InGaN薄膜上に成長させることを提案する。InGaN薄膜上にp型のa-Si:Hか多結晶Si(プラズマCVD )を堆積させる、InGaN層のp型化の難しさを克服するとともに、p型Si系材料との接合によって長波長側への感度が向上すること。長波長側への感度が向上のためにInGaN活性層に多層量子ドット構造を利用した中間バンドの形成をする。
すべて 2013
すべて 雑誌論文 (6件) 学会発表 (3件) (うち招待講演 1件)
Advanced Materials
巻: 26(Original paper) ページ: 1414-1420
10.1002/adma.201304335
Scientific Report
巻: 3(Original paper) ページ: 2368
10.1038/srep02368
Sensors
巻: 13(Review) ページ: 10482
Jpn. J. Appl. Phys.
巻: 52(Original paper) ページ: 08JF04
10.7567/JJAP.52.08JF04
Small
巻: (Original paper)
10.1002/sm11.201302705
Phys. Status Solidi A
巻: (Original paper) ページ: 1-4
10.1002/pssa.201200716