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静磁場印加電磁浮遊法を用いて、高い過冷却状態からの凝固をさせる際に、印加する静磁場強度を変化させると、凝固組織構造が変化することが明らかになった。また、周期加熱法で試料内の流動状態を検討した結果、周期加熱と温度応答の位相差の静磁場依存性が、低磁場域と高磁場域において異り、遷移域が凝固組織構造の遷移域と一致したため、液滴内の流れの変化が凝固組織構造の変化を引き起こすことが分かった。
また、Phase Field法による導体流体中の導体液滴の挙動解析を行うストークス流れを仮定した二次元シミュレーションコードの作成を行い、その計算結果から、静磁場を印加すると、液滴に働く揚力が強くなることが分かった。
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