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酸化物半導体アモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(TFT)を、研究代表者が考案した回転マグネットスパッタ技術を用いて作成した。本技術では複数の動くプラズマループにより、基板上に時間平均で均一な成膜及びプラズマ照射を実現できるため、従来技術と比べてキャリアのライフタイム（TFTのキャリア移動度に関連）の均一性が向上することを示した。また、通常のアルゴンスパッタからキセノンスパッタに替えることで、キャリア移動度を30％程度向上できることを示した。さらに、キセノン回収システムを導入し従来技術に比べ、高均一・高移動度TFTを、高価なキセノンを使用しても低コストで作成するシステムを提案した。
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