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面内磁化膜において電流誘起磁壁移動の閾値電流の内因性ピニング依存性を調べるための素子について検討を行った。本研究では、細線に磁区生成し易い大面積の強磁性体パッドを接続した素子と電流磁場発生配線を強磁性細線上に配置して電流磁場で磁区を生成する素子について、面内磁化膜に比べて容易に磁壁位置を検出可能な垂直磁化膜を用いてそれらの特性を調べた。同一ウェハ上に強磁性体パッド有り無しの素子を作製し、両者の保磁力を比較した結果、強磁性体パッド有りの構造の方が、保磁力が小さくなった。このことから、外部磁場により強磁性体パッドから細線内に磁壁を導入可能と考えられる。しかし、磁壁移動磁場が磁壁導入磁場に近く、細線内に磁壁を初期配置することは困難であった。一方、電流磁場を用いる方法においては、電流磁場発生配線に電流を印加することにより再現性良く磁区生成できた。電流磁場発生配線の周囲に発生する磁場の計算結果と実験結果を比較した結果、垂直磁場と同時に細線方向の磁場も磁区生成に関係していると考えられる。したがって、面内磁化膜の細線において外部磁場で磁化方向を細線方向にそろえた後、電流磁場を用いることによって磁区生成が可能と考えられる。これらの知見をもとに面内磁化膜において電流誘起磁壁移動を調べるための素子を試作したが、磁壁位置の検出には至らなかった。昨年度に開発した内因性ピニング、及び外因性ピニングの大きさを変えた面内磁化膜に電流磁場を用いて磁壁を初期配置する構造を適用し、さらに面内磁化膜において磁壁位置検出方法を確立することにより、面内磁化膜における電流誘起磁壁移動の閾値電流の内因性ピニング、及び外因性ピニング依存性を明らかにすることができると期待される。
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