研究課題
若手研究(B)
本研究は、次世代低損失パワーデバイス材料であるダイヤモンドのヘテロエピタキシャル合成を目指し、下地となる新規バッファ層の開発およびダイヤモンド合成を行った。新規バッファ層であるCuNi合金およびフッ化グラフェンの形成に成功した。先端放電型プラズマCVDによりCuNi上に置いてダイヤモンド合成を確認した。Cu単体に比べ、CuNi合金上ではダイヤモンドの密度・大きさともに増加した。Cu上では、炭素との吸着力が弱いために表面から脱離してしまうのに対して、CuNi合金上ではNi原子と炭素の結合が強いために強く吸着し、ダイヤモンドの核形成が起こると考えられ、合金バッファ層の優位性を示している。
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Appl. Phys. Lett
巻: 103 ページ: 143106
10.1063/1.482379
巻: 101 ページ: 163105
10.1063/1.4760268