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嫌気環境システムを利用して、大気中のAl電極-CNTFETにおけるn-型特性の不安定性の原因が、Al電極の酸化ではなく、デバイス表面への酸素吸着であることを示した。また、グラフィティックカーボン電極-CNTFETにおいて、チャネルCNTの表面に仕事関数の異なる金属被膜を形成することで、両極性デバイスからn-型とp-型のデバイスをそれぞれ作り分けた。さらに、ポリビニルアルコールを利用したCNTネットワーク転写により、プラスチック基板表面にリング発振器を作製して1.1 us/gateの遅延時間を実証すると共に、108個の素子から構成されるフレキシブルCNTTFT中規模集積回路の動作も実証した。
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