| 研究課題/領域番号 |
24760259
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
前田 穂 日本大学, 理工学部, 助手 (80610584)
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| 研究協力者 |
KIM Jung Ho University of Wollongong, ISEM, 准教授
兼田 貴洋 日本大学, 理工学部, 学部生
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2014-03-31
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| キーワード | 超伝導材料・素子 / 二硼化マグネシウム / 超伝導線材 / 臨界電流密度 / 材料加工・処理 / MRI |
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| 研究概要 |
二硼化マグネシウム(MgB2) 線材は、従来の超伝導線材に比べて十分高い超伝導転移温度を有しており、さらに軽量化と潜在的に作製コストの低減が見込めるため、次世代の超伝導装置の応用に期待が持たれている。そこで本研究では、この材料の課題の一つである、線材コア内に形成する空隙の制御と輸送臨界電流特性の改善研究に従事した。その結果、Mgの展性と加圧装置によるプレス加工を利用することにより、線材コア内の空隙の減少及び高密度化につながることが明確になった。また、結晶粒間のつながりと格子歪みの両方を改善することにより、高密度MgB2材料の臨界電流特性をさらに増大できることが明らかになった。
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