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本研究では，サブミリ波領域(300GHz～)へ直接応用できる構成技術の確立を行うことを目的に，放射光直接エッチング法で微細テフロン構造体を形成し，その表面に金属膜を蒸着させることにより短ミリ波帯(G帯,140-220GHz)導波管コンポーネントを試作・評価した．
周波数3逓倍器と検波器を組み合わせてG帯信号を得る測定系を構築し，伝送損失を評価した．これにより，導波管として機能していることを確認した．また，中心周波数180GHzのフィルタ回路を試作した．測定により，フィルタの通過特性を確認することができ，本製作プロセスの短ミリ波帯での有効性を示すことができた．
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