2014 年度研究成果報告書

低エネルギー電子照射による半導体ナノ結晶の形成

研究課題

研究課題/領域番号	24760539
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	金属物性
研究機関	高知工科大学
研究代表者	新田紀子高知工科大学, 公私立大学の部局等, 講師 (80412443)
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31
キーワード	電子照射 / イオン照射 / ナノ結晶 / ナノ構造 / バリアント / 電子顕微鏡 / 集束イオンビーム
研究成果の概要	化合物半導体GaSb(アンチモン化ガリウム)、InSb(アンチモン化インジウム)単結晶に低エネルギー(125 keV)の電子を100℃以上で照射したとき、内部に結晶方位のそろったナノサイズの微結晶が形成されることを新しく見出ている(Nitta et al., Philo. Mag. Lett., 2011)。このナノ結晶の形成メカニズムの解明が本研究の主たる目的である。そのために、GaSb、InSbに電子照射およびそれに加えてイオン照射を行い、その照射挙動についての知見を得た。
自由記述の分野	材料工学