研究課題
若手研究(B)
トポロジカル絶縁体と予測されているホイスラー型結晶構造を持つLaPtBi薄膜のエピタキシャル成長方法の確立と、光電子分光法や電気伝導測定などによる物性解明を目的として研究を行った。高規則度LaPtBiエピタキシャル薄膜の成長方法を確立することが出来た。紫外光電子分光により第一原理計算結果とおおむね一致する価電子帯スペクトルが得られた。磁気抵抗効果などの電気伝導測定から、線形なバンド分散および高移動度キャリアの存在が示唆された。これらの成果は、ホイスラー合金LaPtBiがトポロジカル絶縁体の有力な候補であることをはじめて実験的に示したものである。
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