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2013 年度 実績報告書

強相関酸化物ヘテロ構造の競合性を利用した機能開拓

研究課題

研究課題/領域番号 24760557
研究機関独立行政法人産業技術総合研究所

研究代表者

山田 浩之  独立行政法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 主任研究員 (00415762)

キーワード強誘電体 / 強相関酸化物 / 電界効果 / ヘテロ接合 / 抵抗スイッチング
研究概要

本研究課題は強相関酸化物の有する「相競合性・多機能性」と、強誘電体の有する「不揮発性・電場制御性」を、ヘテロ接合として複合化することにより、新奇な機能開拓を目指している。昨年度研究においては強誘電体BiFeO3をゲート層およびモット絶縁体(強相関酸化物)CaMnO3をチャネル層とする電界効果トランジスタにおいて、(1)強誘電体の分極方向によってチャネル抵抗が不揮発変調すること(強誘電電界効果)、(2)抵抗変化に伴いCaMnO3においてホール濃度が変化している(静電キャリア変調)ことを見出した。これを踏まえ25年度研究においては、見いだされた強誘電電界効果の起源および動作機構を探求した。まずホール濃度変化の膜厚依存性を解析した結果、BiFeO3・CaMnO3界面において、強誘電性とは無関係に界面分極が形成され、チャネルに誘起されるキャリアは、強誘電分極との和で表されることが分かった。これは、accumlationの時は、強誘電分極と界面分極が強め合うため、CaMnO3の総キャリア濃度は大きく上昇するが、depletionの時は両者が打ち消しあうので、元来有しているキャリア濃度と同程度である(つまり、本来の意味でdepletionすることができない)ことが分かった。
つぎに界面分極の役割を検証するため、強誘電体としてBaTiO3、強相関酸化物としてSrRuO3, SrMnO3, LaMnO3の超薄膜からなるヘテロ接合を形成し、その強誘電性をPFMにより評価した。その結果、界面分極が極めて小さいSrRuO3およびSrMnO3では、分極の向きが一方に固定されてしまう(つまり不揮発変調できなくなる)傾向があることが分かった。つまり、界面分極は強相関酸化物の強誘電電界効果において必須の役割を果たしていることが分かった。

  • 研究成果

    (10件)

すべて 2014 2013

すべて 雑誌論文 (6件) (うち査読あり 6件) 学会発表 (4件) (うち招待講演 2件)

  • [雑誌論文] Resistive switching characteristics in dielectric/ferroelectric composite devices improved by post-thermal annealing at relatively low temperature2014

    • 著者名/発表者名
      A. Tsurumaki-Fukuchi、H. Yamada、A. Sawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 104 ページ: 092903

    • DOI

      10.1063/1.4867260

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Neutron magnetic scattering study in manganite thin film system2014

    • 著者名/発表者名
      H. Nakao、H. Yamada、K. Iwasa, A. Sawa, T. Sudayama, J. Okamoto, Y. Yamasaki, Y. Murakami
    • 雑誌名

      Solid State Commun

      巻: 185 ページ: 18-20

    • DOI

      10.1016/j.ssc.2014.01.019

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Magnetic and electronic properties of (LaMnO3)5(SrMnO3)5 superlattice2014

    • 著者名/発表者名
      M. Kubota, H. Yamada, H. Nakao, J. Okamoto, Y. Yamasaki, A. Sawa, Y. Murakami
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 ページ: 05FH07

    • DOI

      10.7567/JJAP.53.05FH07

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ferroelectric control of a Mott insulator2013

    • 著者名/発表者名
      H. Yamada、M. Marinova, P. Altuntas, A. Crassous, L. Begon-Lours, S. Fusil, E. Jacquet, V. Garcia, K. Bouzehoudane, A. Gloter, J.E. Villegas, A. Barthelemy, M. Bibes
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 3 ページ: 2834

    • DOI

      10.1038/srep02834

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Resistive switching artificially induced in a dielectric/ferroelectric composite diode2013

    • 著者名/発表者名
      A. Tsurumaki-Fukuchi、H. Yamada、A. Sawa
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 103 ページ: 152903

    • DOI

      10.1063/1.4824214

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electrolyte-Gated SmCoO3 Thin-Film Transistors Exhibiting Thickness-dependent Large Switching Ratio at Room Temperature2013

    • 著者名/発表者名
      P.-H. Xiang , S. Asanuma , H. Yamada , H. Sato , I. H. Inoue , H. Akoh , A. Sawa , M. Kawasaki , Y. Iwasa
    • 雑誌名

      Advanced Materials

      巻: 25 ページ: 2158-2161

    • DOI

      10.1002/adma.201204505

    • 査読あり
  • [学会発表] 強誘電トンネル接合における抵抗スイッチング現象2014

    • 著者名/発表者名
      山田 浩之
    • 学会等名
      新世代研究所 界面ナノ科学研究会
    • 発表場所
      愛知県蒲郡市
    • 年月日
      20140411-20140411
    • 招待講演
  • [学会発表] 金属/BaTiO3/酸化物トンネル接合における強誘電抵抗スイッチング2014

    • 著者名/発表者名
      山田浩之、福地厚、豊崎喜精、石橋章司、澤彰仁、小林正起、中尾裕則、堀場弘司、組頭広志
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      青学大・神奈川県相模原市
    • 年月日
      20140319-20140319
  • [学会発表] Resistive Switching in Ferroelectric Tunnel Junctions2014

    • 著者名/発表者名
      Hiroyuki Yamada
    • 学会等名
      China-Japan-Korea workship on RRAM and Functional Oxide Workshop
    • 発表場所
      IME-CAS, 北京、中華人民共和国
    • 年月日
      20140116-20140116
    • 招待講演
  • [学会発表] Pt/ BaTiO3/SrRuO3強誘電トンネル接合の作製と評価2013

    • 著者名/発表者名
      山田 浩之、 福地 厚、 豊崎 喜精、 中尾 裕則、 澤 彰仁
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      同志社大・京都府
    • 年月日
      20130919-20130919

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公開日: 2015-05-28  

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