2013 年度研究成果報告書

イオン照射法によるシリコンカーバイドの照射クリープ機構に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号	24760715
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	原子力学
研究機関	京都大学
研究代表者	近藤創介京都大学, エネルギー理工学研究所, 特定助教 (10563984)
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2014-03-31
キーワード	炭化ケイ素 / 照射クリープ / スウェリング
研究概要	シリコンカーバイドは高温強度特性に優れるため、原子炉材料としての使用が構想されている。課題は、中性子照射下で低温（400℃～）から照射クリープ変形をきたすことであり、これが炉の運転温度を制限する要因になりうる。しかし、提案者は、照射クリープが照射線量に対して敏感に反応する時期は、照射のごく初期のみでありそれ以降は飽和傾向を示すことを報告した。この温度では、照射で形成された5nm程度の格子間原子型の転位ループが支配的な損傷微細組織ですが、ループの優先形成結晶面の同定により、応力が緩和する方位に配列することを見いだしました。これは、安定な微細組織によりクリープも制限されることを示している。