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我々がこれまでに開発してきたキラルカルベン配位子の高機能化と、それに基づく新規触媒的 不斉合成法の開発を目的として研究 を行い以下の成果をあげた。 (1)イミダゾリジン型キラルカルベン配位子の窒素上のベンズヒドリル基にトリメチルシリル基を導入する立体チューニングによっ て、一価銅を触媒とする鎖状アリリッククロリドのGrignard試薬によるアリル位置換反応のエナンチオ選択性を向上することに成功し た。 (2)一価銅を触媒 とする鎖状アリリッククロリドのGrignard試薬によるアリル位置換反応において、イミダゾリジン型キラルカルベン配位子の炭素上のフェニル基に電子求引性置換基を導入する電子チューニングを行なうと、位置選択性は向上するものの、反応速度が低下することを見いだした。導入する置換基の電子求引性を調節することで、触媒の活性を調節可能である。 (3)イミダゾリン型カルベンを触媒とするスルホニル基転位を伴うスルホニルアルキノールのフラン環形成反応を見いだした。また、本反応が含窒素複素環合成にも適用可能であることを明らかにした。 (4)トリアゾリン型カルベンを用いるヘキソース由来ジアールのベンゾイン環化を利用し、イノシトール誘導体を立体選択的に合成することに成功した。 (5)トランスシクロアルカンジオールラセミ混合物の速度論的光学分割を、トリアゾリン型カルベンを触媒とし、アルファハロアル デヒドをアシル化剤とするアルコールのエステル化反応を用い、極めて高い選択性で実現することに成功した。本反応の選択性と反応 速度は安息香酸誘導体の添加によって飛躍的に向上する。
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