| 今後の研究の推進方策 |
まずは現在作成中の(In,Fe)As薄膜を用いてNb/(In,Fe)As接合を作成し、その伝導度測定から(In,Fe)Asの分極率を明らかにする。この接合は素子形状を工夫することでNb/(In,Fe)As/Nb接合を同時に作成することができるため、Nb/(In,Fe)As/Nb接合の臨界電流のスピン分極率依存性からスピン三重項超伝導の可能性を議論する。同時に、現在既に得られているNb/InAs/Nb接合においてInAs部分をネッキングすることによって量子ポイントコンタクト(QPC)とし、QPCのスピンフィルタリングの効果によって超伝導接合の臨界電流がどのように変化するかを調べる。
また超伝導電流のスピン状態を横結合型の量子ドットで検出する実験も行う。InAs系ではショットキー障壁が形成されにくくゲート電極を乗せるのが難しいが、エッチングによって二次元電子系そのものをサイドゲートとすることによってその問題を回避する。さらに、二次元電子系の基板を作成する際、キャップレイヤーとなる(Al,Ga)Asの厚みを厚くすることでゲート電極を乗せられるようにすることも考えている。
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