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狭ギャップ半導体であるインジウム砒素の二次元電子系に超伝導体ニオブを低抵抗に接合する方法を開発し、低温で生じるアンドレーエフ反射や超伝導電流を観測した。さらに超伝導接合特性を電流およびスピン流で制御すべくニオブを含む十字構造を形成し超伝導電流に直交するように電流やスピン流を流すことで、超伝導電流やアンドレーエフ束縛状態のコントロールに成功した。
また、近接効果によって染み出す超伝導電子対の対称性を変えるため、量子ポイントコンタクトと超伝導接合のハイブリッド構造の作成や強磁性半導体インジウム鉄砒素の分子線エピタキシー成長も行った。
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