Norbyギャップ内の高イオン伝導体の創製

2024 年度 研究概要(採択時)

• 研究課題/領域番号: 24H00041
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 大区分D
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 八島 正知 東京工業大学, 理学院, 教授 (00239740)
• 研究分担者: 石原 達己 九州大学, 工学研究院, 教授 (80184555) ; 松本 広重 九州大学, カーボンニュートラル・エネルギー国際研究所, 教授 (70283413) ; 藤井 孝太郎 東京工業大学, 理学院, 助教 (30635123)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2029-03-31