| 研究課題/領域番号 |
24H00041
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
大区分D
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
八島 正知 東京工業大学, 理学院, 教授 (00239740)
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| 研究分担者 |
石原 達己 九州大学, 工学研究院, 教授 (80184555)
松本 広重 九州大学, カーボンニュートラル・エネルギー国際研究所, 教授 (70283413)
藤井 孝太郎 東京工業大学, 理学院, 助教 (30635123)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2029-03-31
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| 学術的意義、期待される成果 |
Norbyギャップと呼ばれる300～400℃の中温領域に高イオン伝導体の空白地帯において、26万以上の材料を原子価結合法で高速スクリーニングし、応募者が発見した本質的な酸素空孔を持つ物質やオキシハライドのような新しい高イオン伝導体を探索する研究で、独創性が認められる。新たなイオン伝導体を次々に発見するなど、世界トップの研究成果を有している研究組織による取組であることから、実用的な燃料電池などに応用可能な新しい高イオン伝導体が発見されることが今後期待される。
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