炭化ケイ素半導体ヘテロ界面科学の再構築

2024 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 24H00046
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 大区分D
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 渡部 平司 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90379115)
• 研究分担者: 染谷 満 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 主任研究員 (60783644) ; 小林 拓真 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (20827711)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2029-03-31

学術的意義、期待される成果

炭化ケイ素（SiC）の金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の問題点を界面科学の観点から適切に整理し、チャネル移動度の低さが界面内不均一に起因することを導き出した上、その改善をゲート長とゲート幅が共に100nm程度の極微MOSFETを作製することにより実験的に明らかにしようとするものであり、炭化ケイ素半導体分野において重要な研究である。デバイス物理の視点から学術的に大きな意義が認められ、基礎研究の結果によってはSiCの移動度が大幅に向上することが今後期待される。