TlBr半導体による高感度・高精細フォトンイメージングの実現

2024 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 24H00230
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分15:素粒子、原子核、宇宙物理学およびその関連分野
• 研究機関: 東北工業大学
• 研究代表者: 小野寺 敏幸 東北工業大学, 工学部, 准教授 (10620916)
• 研究分担者: 野上 光博 東北大学, 工学研究科, 助手 (10847304) ; 豊川 秀訓 公益財団法人高輝度光科学研究センター, 放射光利用研究基盤センター, 特別嘱託研究職員 (60344397) ; 人見 啓太朗 東北大学, 工学研究科, 准教授 (60382660)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2029-03-31

学術的意義、期待される成果

新しい半導体材料を、独創性のある先行研究に基づき開発・発展させることが期待できる。新しい半導体を用いたフォトンイメージングが実現した際のサイエンス、医療及び産業への影響力は高く、研究の重要性が明確である。