狭ギャップIV族半導体を用いたフレキシブル多接合太陽電池用ボトムセルの開発

2024 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 24H00305
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 筑波大学
• 研究代表者: 都甲 薫 筑波大学, 数理物質系, 教授 (30611280)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2029-03-31

学術的意義、期待される成果

フレキシブル基板上の高効率太陽電池の実現上問題点とされる、近赤外光吸収用最下層の吸収効率向上のため、IV族半導体GeSiSnを独自採用し、その光学特性の体系化を図る点で、独創的かつ学術的意義が高い。汎用型太陽電池性能向上の基盤技術となる成果が期待される。