酸化物半導体が駆動する次世代強誘電体メモリデバイスの大規模集積化に関する研究

2024 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 24H00309
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 小林 正治 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (40740147)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31

学術的意義、期待される成果

Ferroelectric RAM（FeFET）の大規模三次元集積化を目指す、学術的意義の高い研究である。酸化物半導体の原子層堆積や、FeFETメモリの三次元垂直チャネル構造などの独自的な手法を駆使することにより、今後、エッジデバイスで必要となる大容量かつ低消費電力なメモリデバイスの創製に結びつく成果が期待される。