シリコンMOS構造を基盤とした電子流体エレクトロニクス創生

2024 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 24H00312
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 静岡大学
• 研究代表者: 小野 行徳 静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80374073)
• 研究分担者: 堀 匡寛 静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (50643269)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2028-03-31

学術的意義、期待される成果

電子-電子散乱効果が現れる電子流体状態を利用して、既存半導体デバイスの持つ散逸によるエネルギー効率の限界突破を目指す点が、独創性に富み、かつパラダイムシフトが期待される。基本原理開拓を志す内容に、学術的重要性が読み取れる。