14族混晶半導体におけるフォノンドラッグエンジニアリング

2024 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 24H00314
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 名古屋大学
• 研究代表者: 黒澤 昌志 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (40715439)
• 研究分担者: 片瀬 貴義 東京工業大学, 元素戦略MDX研究センター, 准教授 (90648388)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2029-03-31

学術的意義、期待される成果

Si系混晶半導体薄膜において従来は極低温に限られていた、フォノンドラッグ効果を室温で発現させる点で学術的な意義がある。基板材料の工夫、キャリア閉じ込め構造、高キャリア密度化の取り組みにより、室温においてmW級の発電の実現が期待される。