低温ナノ接合界面における光電子機能創成と革新的ヘテロ集積デバイス技術基盤への展開

2024 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 24H00318
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分21:電気電子工学およびその関連分野
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 多喜川 良 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (80706846)
• 研究分担者: 山口 祐也 国立研究開発法人情報通信研究機構, ネットワーク研究所フォトニックICT研究センター, 主任研究員 (30754791) ; 坂本 高秀 東京都立大学, システムデザイン研究科, 准教授 (70392727) ; 小川 貴史 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 上級研究員 (90515561)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2028-03-31

学術的意義、期待される成果

Siチップ上に超低損失LiNbO3光導波路を集積して超高速光変調（100GHz以上）を実現しようという研究であり、高機能接合界面の低温形成およびそのメカニズムの解明・制御や、分担者の計算シミュレーションによる学理の構築などから、新学術が生まれることが期待される。また、これらを利用した低損失光導波路・変調器の実証や、技術を汎用性の高いものにするための具体的な計画がしっかり練られており、優れた研究成果も期待される。