| 研究課題/領域番号 |
24H00375
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分26:材料工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
舟窪 浩 東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (90219080)
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| 研究分担者 |
岡本 一輝 東京工業大学, 物質理工学院, 助教 (60965937)
木口 賢紀 熊本大学, 先進マグネシウム国際研究センター, 教授 (70311660)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2027-03-31
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| 学術的意義、期待される成果 |
応募者らが開発した優れた特性を持つHfO2系圧電材料と、それを用いた圧電センサーの機構を解明する研究である。新たな材料群の開拓と、それを用いた新規圧電膜の開発による現行の圧電膜のブレークスルー、そして新たな学理の確立が期待される。得られる成果は産業界への寄与も大きいと考えられる。
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