高温溶液成長の3DxTイメージングとフェーズフィールドアナリシス

2024 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 24H00384
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分26:材料工学およびその関連分野
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 吉川 健 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90435933)
• 研究分担者: 小泉 雄一郎 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (10322174) ; 鹿園 直毅 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (30345087) ; 奥川 将行 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (70847160) ; 中本 将嗣 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (80467539) ; 川西 咲子 京都大学, エネルギー科学研究科, 准教授 (80726985)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2028-03-31

学術的意義、期待される成果

ワイドギャップ半導体であるAlNおよびSiCを対象として、結晶成長界面の温度、流れ、界面飽和度をリアルタイムに評価する手法を確立することは、高温であるがゆえに困難を伴う。この難しい課題に先端的研究手法を用いて挑む本研究は、材料学の研究として高い意義を有している。本研究から得られる情報は高品質なパワー半導体の開発に繋がる可能性が高いと期待される。