| 研究課題/領域番号 |
24H00407
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分28:ナノマイクロ科学およびその関連分野
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
吾郷 浩樹 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (10356355)
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| 研究分担者 |
碇 智徳 宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (40419619)
原 正大 熊本大学, 大学院先端科学研究部(理), 准教授 (50392080)
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| 研究期間 (年度) |
2024-04-01 – 2028-03-31
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| 学術的意義、期待される成果 |
hBN多層膜に着目し、高移動度の遷移金属ダイカルコゲナイドを作製しようとする点で革新性の高さが認められ、かつ、機能性テープによる転写技術など、具体性と根拠のある研究計画となっている。次世代デバイスの創製に寄与できる点も高く評価できる。
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