窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究

2024 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 24H00425
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分30:応用物理工学およびその関連分野
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 末光 哲也 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授 (90447186)
• 研究分担者: 重川 直輝 大阪公立大学, 大学院工学研究科, 教授 (60583698) ; 大野 裕 東北大学, 金属材料研究所, 特任研究員 (80243129) ; 高橋 琢二 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20222086)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31

学術的意義、期待される成果

窒化物の極性を利用して同一基板上にn型とp型のトランジスタを形成させる手法の開発は学術的にも応用的にも独自性が高い。CMOS応用を視野に入れており、成功した際の波及効果も大きい。