半導体化学気相成長の科学

2024 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 24H00432
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分30:応用物理工学およびその関連分野
• 研究機関: 九州大学
• 研究代表者: 寒川 義裕 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90327320)
• 研究分担者: 草場 彰 九州大学, 応用力学研究所, 准教授 (70868926) ; 杉山 佳奈美 京都大学, 工学研究科, 助教 (70974377) ; 新田 州吾 三重大学, 研究基盤推進機構, 教授 (80774679)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2028-03-31

学術的意義、期待される成果

本研究は、化学気相成長プロセスをそのまま丸ごと仮想空間に再現する技術を先進計測実験、機械学習などを取り入れることで更に深化させ、III-V族窒化物半導体の結晶成長や不純物混入機構を明らかにするものである。化学気相成長の科学といった学理の追求、更には高性能パワーエレクトロニクス用材料の実現への寄与が期待される。