Sn系ペロブスカイト半導体の薄膜界面の電子・構造制御

2024 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 24H00481
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 審査区分: 中区分36:無機材料化学、エネルギー関連化学およびその関連分野
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 若宮 淳志 京都大学, 化学研究所, 教授 (60362224)
• 研究期間 (年度): 2024-04-01 – 2027-03-31

学術的意義、期待される成果

Sn系ペロブスカイト太陽電池の効率向上にむけた現状の課題を多角的かつ的確に整理し、それぞれに対して科学的な考察を基軸に据えた解決の方法論を提案しており、定量的な考察がされている点も合わせ評価できる提案である。応募者は当該分野でトップクラスの実績を積み上げており、研究計画調書の内容も鑑み十分な成果創出が期待される。