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2013 年度 実績報告書

分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開

研究課題

研究課題/領域番号 25000011
研究機関名古屋大学

研究代表者

天野 浩  名古屋大学, 工学研究科, 教授 (60202694)

研究分担者 本田 善央  名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (60362274)
大野 雄高  名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (10324451)
三宅 秀人  三重大学, 工学研究科, 准教授 (70209881)
成塚 重弥  名城大学, 理工学部, 教授 (80282680)
竹内 哲也  名城大学, 理工学部, 准教授 (10583817)
研究期間 (年度) 2013-04-26 – 2016-03-31
キーワード分極半導体 / 深紫外発光素子 / ナノカーボン電極 / バルクAlN / ソーラーブラインド紫外線検出器 / 電子線励起深紫外レーザ / 電子線ホログラフィ / 電子線励起電流
研究概要

1. 超高品質AlNバルク基板の創製
(本田、天野)昇華法を用いて高品質AlN結晶を成長させた。
(三宅)1400℃の熱処理によりAlNのステップ構造が得られることを明らかにした。HVPE炉の設計と製作を行いシミュレーション結果と比較検討した。
2. 分極半導体デバイス物理構築
(本田、天野)様々なアンドープAlGaN/GaN超格子層構造を作製し、二次元及び三次元p型伝導を確認した。
(竹内)分極電荷を利用した新しいポテンシャル制御を提案、実験的検証と高性能深紫外発光素子の層構造設計を進めた。
3. AlGaN系分極半導体材料へのナノカーボン電極形成
(成塚)(1)アルコールCVD法と析出法を組み合わせることでラマン測定によるD/G比の低い良好な多層グラフェンのための成長条件を導出した。(2)析出法を用いたグラフェンの直接成長メカニズムの検討をおこなった。(3)縦方向導電性の改善に関しては主に技術調査をおこなった。
(大野)カーボンナノチューブ薄膜透明電極をDUVLEDに初めて適応し、電流注入発光を確認した。
4. 分極半導体デバイス物性解析
(田中)電子線ホログラフィ(EH)に関しては、機械研磨のみによる加工を採用、試料薄片化の条件を見出した。電子ビーム励起電流像(EBIC)に関しては、p-n接合の位置や拡散長に関する知見が得られた。また、同時に観察したSEMは簡便な電位観察法として利用出来る可能性を示した。
5. 深紫外発光素子への展開
(岩谷、竹内)(1)紫外LED用高反射率電極の検討 誘電体多層膜およびITO透明電極の有用性を確認した。
(2)電子線励起による窒化物半導体レーザの検討 電子線励起によるレーザ発振と考えられる現象を確認した。
(3)分極によって発生した高密度な2次元電子ガスを活用した紫外線受光素子の検討 AlGaN系紫外受光素子の検討を行い、太陽光下での火炎検知が可能なAlGaN系紫外線センサを実現できた。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

AIN基板作製グループ(三宅、本田・天野)
装置設計や導入、成長条件の検討などハード面では予定通り研究が進んだと判断できる。まだ歩留まりは悪いものの昇華法に因る高品質厚膜AlN成長に成功し、HVPE法によるホモ成長も実施できているため。
分極半導体物理構築グループ(竹内・岩谷、木田・天野)
アンドープ層でのp型伝導性の起源が分極によるものであることが実験的に明らかとなった。
電界分布解析グループ(田中)
電子線ホログラフィーでは、試料の薄片化の条件出しに時間を要していることは考慮されるが、電子線誘起電流およびSEMの観察実験は順調に進めることが出来、有用な知見を得ることが出来たため。
ナノカーボン成長グループ(成塚、大野)
新成膜装置の昇温、冷却機構の改善に時間を要しており、新装置でのグラフェンの成長実験は進んでいない点は考慮されるが、従来装置を用いたグラフェン成長メカニズムの検討実験などは順調に進めることができ、有用な知見は得ることが出来たから。また、カーボンナノチューブ薄膜透明電極をDUV LEDに初めて適応し、電流注入発光を確認したため。

今後の研究の推進方策

AlN某板作製グループ(三宅、本田・天野)
昇華法の不安定さの原因を明らかにし、デバイス作製可能なAlN基板の提供を急ぐ。HVPE法の下地結晶として利用できる2インチ直径のサファイア上AlNで、世界最高品質((10-12)X線半値幅が200arcsec以下)の成長法を確立出来たことから、HVPE法による厚膜基板作製も加速する。得られたAlN基板をデバイス作製に用いて、電子線励起や光励起など、電流注入以外の方法で高密度励起を行い、結晶品質が高いことを確かめる。
分極半導体物理構築グループ(竹内・岩谷、本田・天野)
縦型伝導デバイス設計指針を構築し、実際に検証する。また、分極効果を最大限活用して現在とは異なる構造の深紫外発光素子を設計・試作を行い、従来型素子との特性比較を行う。
電界分布解析グループ(田中)
電子線ホログラフィーを用いた観察実験を行い、電界分布の解析を進めていく。ホログラムを再生して得られる量は、試料透過後の電子波の位相変化であり、この位相変化は試料内の静電ポテンシャルの他、回折や平均内部ポテンシャルによっても引き起こされる。そこで、回折については計算により、平均内部ポテンシャルについては別途測定することで位相変化への寄与を正確に見積り、高い精度で電界分布を導出する。
低加速電圧のSEMを使った昨年度の観察実験では、電位観察法としての可能性が示唆されたが、本年度は特に電位の定量評価の観点でさらに検討を進める。膜の堆積方向の空間分解能を上げるために、斜め研磨した試料を準備してSEM観察し、結果をホログラフィーの結果と比較する。観察が容易なSEMで電位分布が得られるとルーチンワークでの利用が期待される。
ナノカーボン成長グループ(成塚、大野)
(1)多層グラフェンの成長技術と(2)グラフェンの基板上への直接成長技術関しては、新装置の開発を急ぎ、グラフェンの直接成長技術に関しての研究を重点的におこなう。具体的には、新装置を用い高温環境を利用した触媒を必要としないグラフェンの純粋なエピタキシャル成長の可能性を検討する。通常のグラフェンのCVD成長では触媒とカーボン原料の接触が必須であり、グラフェンが触媒を覆うと成長が停止する。このことは単層グラフェンの生成には有利と働くが、多層グラフェンの作製を困難とする。高温での炭素原料の分解反応ならびにその活性化効果を利用したグラフェンのエピタキシャル成長が可能となれば、成長時間の延長により任意の膜厚の多層グラフェンの成長が可能となる。析出法を用いた多層グラフェンの成長に関する研究も並列におこない、グラフェンを用いた透明電極の実現を加速する。グラフェンの成長技術は日進月歩であり、このように複数の選択肢を持ち多角的にそのメカニズムを解明することが研究の推進に重要となる。
(3)グラフェンの縦方向導電性の改善に関しては、「ネットワーク+ノード方式」を用いることによる縦方向伝導の向上の効果を検討する。透明電極の横方向伝導はネットワークを形成するグラフェンによるが、分散的にノードとしてしての働きを持つ金属微粒子の添加形成を考える。この金属微粒子には、p形コンタクトのための仕事関数の増加効果ばかりでなく、グラフェン層上下間の電気伝導性向上の効果も期待できる。
CNTでは、p-AlGaN層に直接コンタクトをとることを目指し、ドーピングによる仕事関数制御およびその効果について詳細な検討を行う。

  • 研究成果

    (61件)

すべて 2014 2013

すべて 雑誌論文 (13件) (うち査読あり 13件) 学会発表 (45件) (うち招待講演 8件) 産業財産権 (3件)

  • [雑誌論文] Selective growth of (001) GaAs using a patterned graphene mask2014

    • 著者名/発表者名
      Yujirou Hirota, Yuya Shirai, Hiromu Iha, Yusuke Kito, Manabu Suzuki, Hironao Kato, Nao Yamamoto, Takahiro Maruyama, Shigeya Naritsuka
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: 401 ページ: 563-566

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2014.01.033

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Morphology developent of GaN nanowires using a pulsed-mode MOCVD growth technique2014

    • 著者名/発表者名
      B. O. Jung, S. Y. Bae, Y. Kato, M. Imura, D. S. Lee, Y. Honda and H. Amano
    • 雑誌名

      CrysEngComm.

      巻: 16 ページ: 2273-2282

    • DOI

      10.1039/C3CE42266F

    • 査読あり
  • [雑誌論文] One-Step Sub-10 μm Patterning of Carbon-Nanotube Thin Films for Transparent Conductor Applications2014

    • 著者名/発表者名
      N. Fukaya, D. Y. Kim, S. Kishimoto, S. Noda, and Y. Ohno
    • 雑誌名

      ACS Nano

    • DOI

      10.1021/nn4041975

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Inhomogeneous distribution of defect-related emission in Si-doped AIGaN epitaxial layers with different Al content and Si concentration2014

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, F. Ushijima, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Yamada
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 115 ページ: 053509

    • DOI

      10.1063/1.4864020

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Homoepitaxial growth of AlN layers on freestanding AlN substrate by metalorganic vapor phase epitaxy2014

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Morishita, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 390 ページ: 46-50

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2013.12.023

    • 査読あり
  • [雑誌論文] AIN Grown on a-and n-Plane Sapphire Substrates by Low-Pressure Hydride Vapor Phase Epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      N. Goriki, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Akiyama, T. Ito, O. Eryu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 ページ: O8JB31

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.08JB31

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Cathodoluminescence Study of Optical Inhomogeneity in Si-Doped AIGaN Epitaxial Layers Grown by Low-Pressure Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy2013

    • 著者名/発表者名
      S. Kurai, F. Ushijima, Y. Yamada, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 ページ: 08JL07

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.08JL07

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of Si doping in high-quality AlN grown by MOVPE on trench-patterned template2013

    • 著者名/発表者名
      G. Nishio, S. Yang, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 370 ページ: 74-77

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2012.10.038

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth and Characterization of AlGaN Multiple Quantum Wells for Electron-Beam Target for Deep-Ultraviolet Light Sources2013

    • 著者名/発表者名
      F. Fukuyo, S. Ochiai, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y. Kobayashi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 ページ: 01AF03

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.01AF03

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Combination of Indium-Tin Oxide and SiO_2/AlN Dielectric Multilayer Reflective Electrodes for Ultraviolet-Light-Emitting Diodes2013

    • 著者名/発表者名
      Mami Ishiguro, Kazuya Ikeda, Masataka Mizuno, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 ページ: 08JG07

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.08JG07

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Dislocation density dependence of stimulated emission characteristics in AlGaN/AlN multiquantum wells2013

    • 著者名/発表者名
      Mami Ishiguro, Kazuya Ikeda, Masataka Mizuno, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 ページ: 08JG07

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.08JG07

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Combination of Indium-in Oxide and SiO_2/AlN Dielectric Multilayer Reflective Electrodes for Ultraviolet-Light-Emitting Diodes2013

    • 著者名/発表者名
      Yuko Matsubara, Tomoaki Yamada, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki and Hiroshi Amano
    • 雑誌名

      physica status solidi C

      巻: 10 ページ: 1537-1540

    • DOI

      10.1002/pssc.201300265

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Investigations of Polarization-Induced Hole Accumulations and Vertical Hole Conductions in GaN/AlGaN Heterostructures2013

    • 著者名/発表者名
      Toshiki Yasuda, Kouta Yagi, Tomoyuki Suzuki, Tsubasa Nakashima, Masahiro Watanabe, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 ページ: 08JJ05

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.08JJ05

    • 査読あり
  • [学会発表] 分極制御による紫外発光素子のホール注入の検討2014

    • 著者名/発表者名
      安田俊樹、林健人、竹田健一郎、中島翼、竹内哲也、上山智、岩谷素顕、赤崎勇、天野浩
    • 学会等名
      第61回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      20140317-20
  • [学会発表] 窒化物半導体HFET型UV光センサーの火炎センサー応用2014

    • 著者名/発表者名
      山本雄磨, 村瀬卓弥, 石黒真未, 山田知明, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇
    • 学会等名
      第61回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      20140317-20
  • [学会発表] 高感度な窒化物半導体HFET型ソーラーブラインド紫外光センサー2014

    • 著者名/発表者名
      村瀬卓弥, 石黒真未, 山田知明, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇
    • 学会等名
      第61回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      20140317-20
  • [学会発表] Nitride-based hetero-field-effect-transistor-type photosensors with extremely high photosensitivity and complete solar-blind2014

    • 著者名/発表者名
      Takuya Murase, Mami Ishiguro, Yuma Yamamoto, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki
    • 学会等名
      ISPlasma2014/IC-PLANTS2014
    • 発表場所
      Meijo Univ., Nagoya
    • 年月日
      20140302-05
  • [学会発表] Improvement of the light extraction efficiency in 350-nm-emission UV light-emitting diodes by novel distributed bragg reflector p-type electrode2014

    • 著者名/発表者名
      T. Nakashima, K. Takeda, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki, and H. Amano
    • 学会等名
      ISPlasma2014/IC-PLANTS2014
    • 発表場所
      Meijo Univ., Nagoya
    • 年月日
      20140302-05
  • [学会発表] 環境貢献と経済発展の両立…進化を続けるLED技術(基調講演)2014

    • 著者名/発表者名
      天野 浩
    • 学会等名
      日本フォトニクス協議会関西支部設立記念講演会
    • 発表場所
      大阪商工会議所
    • 年月日
      2014-03-20
  • [学会発表] AlGaN/GaN超格子分極によるp型伝導の温度依存性2014

    • 著者名/発表者名
      石井貴大, 本田善央, 山口雅史, 天野浩
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • 年月日
      2014-03-20
  • [学会発表] Pre-sputter Technology for GaN Acceptor Doping by Mg-ion Implantation2014

    • 著者名/発表者名
      孫政, 永山勉, 渡邊哲也, 本田善央, 天野浩
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • 年月日
      2014-03-19
  • [学会発表] サファイア上AlGaN多重量子井戸構造における格子緩和層の影響2014

    • 著者名/発表者名
      中濵和大, 福世文嗣、三宅秀人, 平松和政, 吉田治正, 小林祐二
    • 学会等名
      第61回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学、神奈川
    • 年月日
      2014-03-19
  • [学会発表] AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率Al_x. Ga_<1-x>N多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価2014

    • 著者名/発表者名
      秩父重英, 石川陽一, 古澤健太郎, 田代公則, 大友友美, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      第61回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学、神奈川
    • 年月日
      2014-03-19
  • [学会発表] サファイア上AlN緩衝層のN_2-COアニールとMOVPE法によるAlN成長2014

    • 著者名/発表者名
      西尾剛, 鈴木周平, 三宅秀人, 平松和政, 福山博之, 徳本有紀, 山田陽一
    • 学会等名
      第61回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学、神奈川
    • 年月日
      2014-03-19
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造の高温PL測定2014

    • 著者名/発表者名
      早川裕也, 福野智規, 中村豪仁, 倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一
    • 学会等名
      第61回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学、神奈川
    • 年月日
      2014-03-19
  • [学会発表] HVPE法による周期溝加工AlN自立基板へのホモエピタキシャル成長2014

    • 著者名/発表者名
      渡邉祥順, 三宅秀人, 平松和政, 岩崎洋介, 永田俊郎
    • 学会等名
      第61回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学、神奈川
    • 年月日
      2014-03-18
  • [学会発表] a-C層を挿入したNi触媒を用いた多層グラフェンのアルコールCVD2014

    • 著者名/発表者名
      鈴木学, 鬼頭祐典, 早川直邦, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第61回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学、神奈川
    • 年月日
      2014-03-17
  • [学会発表] Improvement of Light Extraction Efficiency with Periodic Light-extraction Structures on Sapphire Substrate for Electron-beam-pumped Deep-ultraviolet Light Sources2014

    • 著者名/発表者名
      F. Fukuyo, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Yoshida, Y. Kobayashi
    • 学会等名
      ISPlasma 2014
    • 発表場所
      名城大学
    • 年月日
      2014-03-03
    • 招待講演
  • [学会発表] 窒化物半導体による生活の変遷(基調講演)2014

    • 著者名/発表者名
      天野 浩
    • 学会等名
      CREST第2回公開シンポジウム
    • 発表場所
      豊田工業大学8号館
    • 年月日
      2014-02-24
  • [学会発表] AlGaN系材料・発光デバイスの現状と今後の課題2014

    • 著者名/発表者名
      石井貴大、袴田涼馬、若杉侑也、本田善央、天野 造、山川雅康、伴 和仁、永松謙太郎、岡田成仁、井村将隆、岩谷素顕
    • 学会等名
      (独)日本学術振興会第145委員会
    • 発表場所
      明治大学 駿河台キャンパス
    • 年月日
      2014-01-17
    • 招待講演
  • [学会発表] MOVPE法によるAlGaN成長とその深紫外光源への応用(依頼講演)2014

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人、平松和政
    • 学会等名
      日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会
    • 発表場所
      明治大学
    • 年月日
      2014-01-17
  • [学会発表] サファイア上AlN緩衝層のN_2-rCOアニールとMOVPE法による高温成長2013

    • 著者名/発表者名
      西尾剛, 鈴木周平, 三宅秀人, 平松和政, 福山博之
    • 学会等名
      電子情報通信学会(ED, CPM, LQE合同研究会)
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      20131128-29
  • [学会発表] 減圧HVPE法を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御2013

    • 著者名/発表者名
      北川慎, 三宅秀人, 平松和政
    • 学会等名
      電子情報通信学会(ED, CPM, LQE合同研究会)
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      20131128-29
  • [学会発表] 350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究2013

    • 著者名/発表者名
      中嶋 翼, 竹田健一郎, 岩谷素顕, 上山 智, 竹内哲也, 赤崎 勇, 天野 浩
    • 学会等名
      電子情報通信学会(ED, CPM, LQE合同研究会)
    • 発表場所
      大阪大学
    • 年月日
      20131128-29
  • [学会発表] Dislocation density dependence of stimulated emission characteristics in AlGaN/AlN multi-quantum wells2013

    • 著者名/発表者名
      Motoaki Iwaya, Yuko Matsubara, Tomoaki Yamada, Kenichiro Takeda, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasak, and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductor
    • 発表場所
      Kloster Seeon, Germany
    • 年月日
      20130930-1005
  • [学会発表] Reduction of the threshold power density in AlGaN/AlN multiquntum wells DUV (288 nm) optical pumped lasers2013

    • 著者名/発表者名
      Tomoaki Yamada, Yuko Matsubara, Hiroshi Shinzato, Kenichiro Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Doshisha Univ., Kyoto
    • 年月日
      20130918-19
  • [学会発表] VSL法を用いたAlGaN/AlN多重量子井戸の光学利得測定2013

    • 著者名/発表者名
      山田 知明, 松原 由布子, 竹田 健一郎, 岩谷 素顕, 竹内 哲也, 上山 智, 赤崎 勇, 天野 浩
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 年月日
      20130915-20
  • [学会発表] Externally high sensitivity group III nitride semiconductor based heterostructure field effect transistor type photosensors2013

    • 著者名/発表者名
      M. Ishiguro, M. Mizuno, M. Iwaya, T. Takeuchi, S. Kamiyama, I. Akasaki
    • 学会等名
      3rd International conterence on Materials and Applications for Sensors and Transducers
    • 発表場所
      Progue, Czech Republic
    • 年月日
      20130913-17
  • [学会発表] Improvement of Light Extraction Efficiency in 350-nm Emission UV Light-Emitting Diodes2013

    • 著者名/発表者名
      Tsubasa Nakashima, Kenitirou Takeda, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki, and Hiroshi Amano
    • 学会等名
      10th International Conference of Nitride Semiconductors
    • 発表場所
      Washington DC
    • 年月日
      20130825-30
  • [学会発表] High-performance carbon-nanotube thin-film devices for flexible electronics applications2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Ohno
    • 学会等名
      International Conference on Small Science
    • 発表場所
      Las Vegas, USA
    • 年月日
      2013-12-15
    • 招待講演
  • [学会発表] Electrical characterization of AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diode by low-voltage cross-sectional SEM-EBIC2013

    • 著者名/発表者名
      T. Karumi, S. Tanaka, T. Tanji, H. Amano, Y. Furusawa
    • 学会等名
      International Symposium on Ecotopia Science '13
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2013-12-14
  • [学会発表] 低加速SEM-EBIC法によるAlGaN系深紫外発光素子断面の電気的特性の解析2013

    • 著者名/発表者名
      軽梅貫博, 田中成泰, 丹司敬義, 天野浩, 古澤優太
    • 学会等名
      日本顕微鏡学会第57回シンポジウム
    • 発表場所
      名古屋
    • 年月日
      2013-11-15
  • [学会発表] Carbon nanotube thin films for flexbile electronics application2013

    • 著者名/発表者名
      Yutaka Ohno
    • 学会等名
      A3 Symposium of Emerging Materials : Nanomaterials for Energy and Environments
    • 発表場所
      Cheju, Korea
    • 年月日
      2013-11-10
    • 招待講演
  • [学会発表] グラフェンマスク上のGaAs MBE選択成長メカニズムの検討2013

    • 著者名/発表者名
      廣田雄二郎, 伊覇広夢, 鬼頭佑典, 鈴木学, 加藤浩直, 山本菜緒, 丸山隆浩, 成塚重弥
    • 学会等名
      第43回結晶成長国内会議(NCCG-43)
    • 発表場所
      長野市生涯学習センター、長野
    • 年月日
      2013-11-07
  • [学会発表] Ni触媒を用いたアルコールCVD法による多層グラフェンの成長2013

    • 著者名/発表者名
      鈴木学, 鬼頭佑典, 早川直邦, 成塚重弥, 丸山隆浩
    • 学会等名
      第43回結晶成長国内会議(NCCG-43)
    • 発表場所
      長野市生涯学習センター、長野
    • 年月日
      2013-11-07
  • [学会発表] Flexible electronics based on carbon nanotube thin film2013

    • 著者名/発表者名
      Yutaka Ohno
    • 学会等名
      SLONANO 2013
    • 発表場所
      Ljubljana, Slovenia
    • 年月日
      2013-10-24
    • 招待講演
  • [学会発表] 低加速電圧SEM-EBIC法によるAlGaN系深紫外発光素子断面の電気的特性の解析2013

    • 著者名/発表者名
      軽海貴博, 田中成泰, 丹司敬義, 天野浩, 古澤優太
    • 学会等名
      平成25年電気関係学会東海支部連合大会
    • 発表場所
      浜松
    • 年月日
      2013-09-25
  • [学会発表] AlGaN系量子井戸構造における局在励起子分子の結合エネルギー2013

    • 著者名/発表者名
      早川裕也, 福野智規, 倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学, 京田辺市
    • 年月日
      2013-09-20
  • [学会発表] X線回折による断各周期溝加工構造AlN/Sapphire基板上エピタキシャル成長AlN厚膜の結晶構造解析2013

    • 著者名/発表者名
      荒内琢士, 竹内正太郎, 中村邦彦, KhanDhin, 中村芳明, 三宅秀人, 平松和政, 酒井朗
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学, 京田辺市
    • 年月日
      2013-09-19
  • [学会発表] サファイア上AlN成長におけるN2-COアニールによるAlN緩衝層制御2013

    • 著者名/発表者名
      西尾剛, 三宅秀人, 平松和政, 福山博之
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学, 京田辺市
    • 年月日
      2013-09-19
  • [学会発表] Growth and characterization of Si-doped AlN films on sapphire2013

    • 著者名/発表者名
      G. Nishio. H. Miyake and K.
    • 学会等名
      MRS-JSAP joint sympojium
    • 発表場所
      同志社大学, 京田辺市
    • 年月日
      2013-09-18
  • [学会発表] LP-MOVPE法で成長したSi添加Al_xGa_<1-x>N/Al_yGa_<1-y>N多重量子井戸構造(x~0.6)のカソードルミネッセンスマッピング評価2013

    • 著者名/発表者名
      倉井聡, 穴井恒二, 若松歩, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学, 京田辺市
    • 年月日
      2013-09-17
  • [学会発表] AlGaN混晶薄膜における励起子分子の熱的安定性2013

    • 著者名/発表者名
      古谷佑二郎, 中尾文哉, 倉井聡, 三宅秀人, 平松和政, 山田陽一
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学, 京田辺市
    • 年月日
      2013-09-17
  • [学会発表] Fully-transparent, flexible and stretchable, all-carbon thin-film transistors and integrated circuits2013

    • 著者名/発表者名
      Yutaka Ohno
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposium
    • 発表場所
      Kyoto
    • 年月日
      2013-09-16
    • 招待講演
  • [学会発表] High-quality AlN growth on 6H-SiC substrate using three dimensional nucleation by low-pressure HVPE2013

    • 著者名/発表者名
      S. Kitagawa, H. Miyake, K. Hiramatsu
    • 学会等名
      MRS-JSAP joint sympojium
    • 発表場所
      同志社大学, 京田辺市
    • 年月日
      2013-09-16
  • [学会発表] Microscopic structure analysis of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/sapphire template by X-ray microdiffraction2013

    • 著者名/発表者名
      K. T. Dinh, S. Takeuchi, K. Nakamura, T. Arauchi, Y. Nakamura., H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Imai, S. Kimura and Akira Sakai
    • 学会等名
      MRS-JSAP joint sympojium
    • 発表場所
      同志社大学, 京田辺市
    • 年月日
      2013-09-16
  • [学会発表] 窒化物半導体AlGaNの成長と電子線励起紫外光源への応用2013

    • 著者名/発表者名
      三宅秀人、平松和政、福世文嗣、吉田治正、小林祐二
    • 学会等名
      日本機械学会2013年度年次大会
    • 発表場所
      岡山大学
    • 年月日
      2013-09-11
    • 招待講演
  • [学会発表] Flexible and stretchable electronics based on carbon nanotube thin films2013

    • 著者名/発表者名
      Yutaka Ohno
    • 学会等名
      10th Tpical Workshop on Heterostructure Microelectronics
    • 発表場所
      Hakodate
    • 年月日
      2013-09-02
    • 招待講演
  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子2013

    • 発明者名
      竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特願
    • 産業財産権番号
      2013-127556
    • 出願年月日
      2013-06-18
  • [産業財産権] 分極を有する半導体を用いた半導体光素子2013

    • 発明者名
      竹内哲也、岩谷素顕、赤崎勇、天野浩
    • 権利者名
      名城大学
    • 産業財産権種類
      特願
    • 産業財産権番号
      2013-255883
    • 出願年月日
      2013-12-11
  • [産業財産権] 窒化アルミニウム(AlN)膜を有する基板および窒化アルミニウム(AlN)膜の製造方法2013

    • 発明者名
      福山博之、三宅秀人
    • 権利者名
      東北大学、三重大学
    • 産業財産権種類
      特願
    • 産業財産権番号
      2013-174057
    • 出願年月日
      2013-08-26

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公開日: 2015-07-15  

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