| 研究課題/領域番号 |
25220707
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(S)
|
| 配分区分 | 補助金 |
|---|
| 研究分野 |
物性Ⅰ
|
|---|
| 研究機関 | 東京大学 |
|---|
研究代表者 |
辛 埴 東京大学, 物性研究所, 教授 (00162785)
|
|---|
| 研究分担者 |
石田 行章 東京大学, 物性研究所, 助教 (30442924)
近藤 猛 東京大学, 物性研究所, 准教授 (40613310)
岡崎 浩三 東京大学, 物性研究所, 准教授 (40372528)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2013-05-31 – 2018-03-31
|
| キーワード | 光電子分光 / レーザー / 超電導 / 超低温 / 高分解能 |
|---|
| 研究成果の概要 |
世界の追随を許さない最低温度と最高分解能の未踏性能を持つヘリウム３クライオスタット搭載型の角度分解光電子分光装置を開発し、エキゾチック低温超伝導体の機構解明に取り組んだ。我々は、1K以下の試料部到達温度を達成し、また、光電子アナライザーとsCMOS型検知器システムを連動制御するソフトウェアを開発することで、高速フレームレート測定を可能とした。本研究により、世界で初めて、鉄系超伝導体がトポロジカル超伝導を示すことを実証した。更に、バルク超伝導体上に薄膜成長させたトポロジカル物質において、近接効果由来の超伝導ギャップがスピン偏極バンドに開く観察に成功した。
|
| 自由記述の分野 |
電子物性
|
