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2013 年度 実績報告書

集積グラフェンNEMS複合機能素子によるオートノマス・超高感度センサーの開発

研究課題

研究課題/領域番号 25220904
研究種目

基盤研究(S)

研究機関北陸先端科学技術大学院大学

研究代表者

水田 博  北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 教授 (90372458)

研究期間 (年度) 2013-05-31 – 2018-03-31
キーワードマイクロ・ナノデバイス / ナノマシン / 先端機能デバイス / ナノ材料 / 電子デバイス・機器
研究概要

本研究では、オートノマス・超高感度集積グラフェンNEMSセンサーシステムの実現を目指して、技術課題を以下の5つのWPに分割して推進している。①少数吸着分子による質量変化と電荷移動を検出する振動チャネル型グラフェンナノリボン(GNR)トランジスタの開発(WP1)、②吸着分子固有振動モード検出方式の開発(WP2)、③エネルギー準可逆型スイッチを可能とする不揮発性パワーマネジメント素子の開発(WP3)、④グラフェンNEMS設計・解析用マルチスケール・シミュレーションの構築と、原子分解能走査透過型電子顕微鏡(STEM)による分子吸着状態の微視的解明(WP4)、⑤センサーとパワーマネジメント素子を同一グラフェン膜内に集積化するプロセス技術の開発(WP5)。
H25年度は、それぞれのWPにおいて以下を実施した。WP1:グラフェンNEMS設計・解析に対応するハイブリッドNEMSシミュレーションシステムを構築し、GNRの寸法・形状の最適化と質量感度の解析、およびWP3で開発するNEMSスイッチの構造設計を行った。また、グラフェンNEMSセンサー・スイッチ特性の精密測定のために、素子の表面清浄化を行う2次チャンバーを備えた環境制御型・高周波プローバーを開発した。WP2:GNRのフォノンモードを原子的に解析する手法を立ち上げるため、第一原理計算と半経験的計算の2種類の方法を試み、前者の手法で基本的GNR構造に対するフォノンスペクトルを得た。WP3:シリコン基板に形成したトレンチ構造内に金属制御電極を備えた新しいサスペンデッドグラフェンNEMSスイッチ構造を提案・作製し、サスペンデッドGNRの繰り返しスイッチング動作の観測に成功した。WP4:種々のサスペンデッドグラフェン膜資料を準備し、高解像度TEM/STEMを用いてグラフェン原子構造の直接観察を試みた。WP5:WP1とWP3におけるグラフェンNEMSセンサーとスイッチ素子作製プロセス開発状況を踏まえて、集積化プロセスの見直しを行った。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

1: 当初の計画以上に進展している

理由

研究実績の概要に記載したとおり、5つのWP(WP1~WP5)それぞれの技術課題に対して、ほぼ当初の計画に沿った進展を得たが、一部の課題に対しては計画を上回る成果を得た。WP1、WP3共通となるサスペンデッドグラフェンNEMS素子構造試作においては、基板のトレンチ内に制御電極を設けた新しい素子構造と、その作製方法として従来のフッ化水素による気相エッチングを用いない低ダメージ新プロセスを提案・開発した。さらに、それを用いてサスペンデッドグラフェンNEMS素子を試作することで、2V以下の低電圧でグラフェンNEMSの繰り返しスイッチング動作を観測することに成功した。この成果については既に論文投稿の準備を完了している。

今後の研究の推進方策

今後の研究推進においては、ほぼ当初の計画に沿って実施するが、H25年度に開発に成功した新しいグラフェンNEMS素子作製プロセスを駆使して、WP1とWP3におけるグラフェンNEMSセンサーとスイッチ素子開発を加速する。WP1においては、H25年度に開発した新しいグラフェンNEMSプロセスをベースとし、電子線直接描画とO2プラズマエッチング、および収束イオンビームを用いたGNR微細加工と、英サザンプトン大のヘリウムイオン顕微鏡(HIM)およびJAISTの電界電離ガスイオン源(GFIS)を用いたヘリウムイオンミリングによる超微細加工を併用し、リボン幅50 nm ~ 10 nm以下のGNRをチャネルとする共鳴チャネルグラフェンNEMSトランジスタ(RCGNEMFET)を作製する。また、H25年度に構築した環境制御型・高周波プローバーを用いて、ロックインアンプ、シグナルジェネレータ、ネットワークアナライザーによるRF測定システムを立ち上げ、共鳴スペクトル変化による質量変化と電荷移動によるコンダクタンス変化を同時に検出する方式の基本評価を行う。WP2においては、吸着分子の固有振動モードを伝導電子の非弾性散乱トンネルスペクトロスコピーを行う低周波測定系を構築する。WP3においては、最適化したダブルカンチレバー型チャネルのGNEMFETを試作し、そのプルイン・プルアウト基本特性を評価する。WP4においては、大規模第一原理・量子輸送解析により、GNRのエッジ・欠陥状態と分子吸着位置との相関と、吸着分子がGNR全体の振動モードに与える影響についての基本評価を行う。

  • 研究成果

    (20件)

すべて 2014 2013

すべて 雑誌論文 (5件) (うち国際共著 1件、 査読あり 5件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (15件) (うち招待講演 2件)

  • [雑誌論文] Sub-10 nm patterning by focused He-ion beam milling for fabrication of downscaled graphene nano devices2014

    • 著者名/発表者名
      N. Kalhor, S. Boden and H. Mizuta
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering

      巻: 114 ページ: 70-77

    • DOI

      10.1016/j.mee.2013.09.018

    • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Fabrication and characterisation of a double-clamped beam structure as a control gate for a high-speed non-volatile memory device2014

    • 著者名/発表者名
      M.A. Garcia-Ramirez, Z. Moktadir, Y. Tsuchiya and H. Mizuta
    • 雑誌名

      Microelectronic Engineering

      巻: 114 ページ: 22-25

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Raman study of damage extent in graphene nanostructures varved by high energy ion beam2014

    • 著者名/発表者名
      S. Hang, Z. Moktadir and H. Mizuta
    • 雑誌名

      Carbon

      巻: 72 ページ: 233-241

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Point defect induced transport bandgap widening in the downscaled armchair graphene nanoribbon device2013

    • 著者名/発表者名
      M. Muruganathan. and H. Mizuta
    • 雑誌名

      Carbon

      巻: 64 ページ: 416-423

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Optimisation of quality-factor for in-plane free-free nanoelectromechanical resonators2013

    • 著者名/発表者名
      F. Arab Hassani, Y. Tsuchiya and H. Mizuta
    • 雑誌名

      Micro & Nano Letters

      巻: 8 ページ: 886-889

    • 査読あり
  • [学会発表] グラフェンナノリボンにおけるCO2分子セ ンシングの微視的メカニズム2014

    • 著者名/発表者名
      今村 知典,マノハラン・ムルガナタン,水田 博
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)
    • 年月日
      20140317-20140320
  • [学会発表] 二層グラフェンを用いた単電子トランジスタ の特性2014

    • 著者名/発表者名
      岩崎拓哉,マノハラン・ムルガナタン,水田 博
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)
    • 年月日
      20140317-20140320
  • [学会発表] First principle study of Edge defects in Graphene Nanoribbon devices2014

    • 著者名/発表者名
      マノハラン・ムルガナタン,水田 博
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)
    • 年月日
      20140317-20140320
  • [学会発表] Temperature dependence of electric resistivity in nanocrystalline graphene deposited by metal-free plasma enhanced chemical vapor deposition method2014

    • 著者名/発表者名
      シュミット・マレク, ムルガナタン・マノハラン, チョン・ハロルド、水田 博
    • 学会等名
      第61回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス(神奈川県)
    • 年月日
      20140317-20140320
  • [学会発表] Helium ion beam based novel fabrication of downscaled graphene nanodevices2013

    • 著者名/発表者名
      H. Mizuta, Z. Motadir, S. Hang, N. Kalhor, J. Reynolds, T. Iwasaki, M. Schmidt and Manoharan M.
    • 学会等名
      The15th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium - Towards Advanced Imaging Science Creation -
    • 発表場所
      静岡大学浜松キャンパス(静岡県)
    • 年月日
      20131112-20131113
    • 招待講演
  • [学会発表] Metal-Insulating transition in disordered graphene nanoribbons controlled by helium ion irradiation2013

    • 著者名/発表者名
      Z. Moktadir, S. Hang, J. Reynolds, K. Higashimine, M. Manoharan and H. Mizuta
    • 学会等名
      2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013)
    • 発表場所
      ヒルトン福岡シーホーク(福岡県)
    • 年月日
      20130924-20130927
  • [学会発表] Sharp edged sub-20 nm graphene single-electron devices by Helium ion beam milling technique2013

    • 著者名/発表者名
      N. Kalhor, S. Hang, T. Iwasaki, Z. Moktadir, S. Boden, Manoharan M. and H. Mizuta
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Symposium C: Advanced Nano Carbon Devices and Materials
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都府)
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] Predominant role of the point defects in armchair graphene nanoribbon devices2013

    • 著者名/発表者名
      M. Muruganathan and H. Mizuta
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Symposium C: Advanced Nano Carbon Devices and Materials
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都府)
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] Adsorption of CO2 and NH3 molecules on armchair graphene nanoribbons and its electronic states and transport properties2013

    • 著者名/発表者名
      Manoharan M., S. Inoue and H. Mizuta
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Symposium C: Advanced Nano Carbon Devices and Materials
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都府)
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] Uniformity of large area plasma-enhanced chemical vapor deposited nanocrystalline graphene2013

    • 著者名/発表者名
      M. E. Schmidt, C. Xu, M. Cooke, H. Mizuta and H. M. H. Chong
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Symposium C: Advanced Nano Carbon Devices and Materials
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都府)
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] Role of the edge states and the point defects on electronic transport in bilayer graphene field effect transistors2013

    • 著者名/発表者名
      Z. Motadir, S. Hang, S. Saito and H. Mizuta
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Symposium C: Advanced Nano Carbon Devices and Materials
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス(京都府)
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] Metal-Insulating transition in disordered graphene nanoribbons controlled by helium ion irradiation2013

    • 著者名/発表者名
      Z. Moktadir, S. Hang, J. Reynolds, K. Higashimine, M. Manoharan and H. Mizuta
    • 学会等名
      5th International Conference on Recent Progress in Graphene Research
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス(東京都)
    • 年月日
      20130909-20130913
  • [学会発表] Study of carrier transport for graphene nanoribbons with He+ ion induced point defects and edge irregularities2013

    • 著者名/発表者名
      H. Mizuta, Z. Motadir, S. Hang, N. Kalhor, J. Reynolds, K. Higashimine, Manoharan M.
    • 学会等名
      15th International Symposium on “Ultrafast Phenomena in Semiconductors” (15-UFPS)
    • 発表場所
      Vilnius(リトアニア)
    • 年月日
      20130825-20130827
    • 招待講演
  • [学会発表] Direct helium ion milling technology: towards the fabrication of extremely down-scaled graphene nanodevices2013

    • 著者名/発表者名
      S. Hang, Z. Moktadir, N. Khalor, S. Saito and H. Mizuta
    • 学会等名
      2013 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      リーガロイヤルホテル京都(京都府)
    • 年月日
      20130609-20130610
  • [学会発表] Ultra-fine Graphene Nanoelectronic Devices Carved with Tightly Focused Helium Ion Beam2013

    • 著者名/発表者名
      S. Hang, Z. Moktadir and H. Mizuta
    • 学会等名
      Graphene Week 2013
    • 発表場所
      Chemniz (ドイツ)
    • 年月日
      20130602-20130607

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公開日: 2015-05-28  

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