| 研究課題/領域番号 |
25246028
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
渡部 平司 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (90379115)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | 表面・界面物性 / 界面反応 |
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| 研究実績の概要 |
当初の研究計画に従って、以下の研究成果を得た。①溶融成長Geワイヤの電気特性評価や高移動度Geトランジスタ実現へのキーテクノロジーとなるNiGe低抵抗コンタクト形成技術に関する研究成果を当該領域を代表する学術誌（Applied Physics Letters）にそれぞれ発表した。②溶融成長法で形成した高品質GeSn材料の光学特性評価を継続し、直接遷移発光を確認すると共に、国内国際学会での成果発表を進めた。③溶融成長GeSnワイヤをチャネルとしたバックゲートトランジスタを作製し、そのスイッチング動作を確認した。④GeやGeSnワイヤの溶融成長機構を詳細な結晶方位解析から検討した。⑤フレキシブル基板への展開を視野に入れ、石英基板上でのGeSn溶融成長実験に着手し、高い発光効率を実証した。⑥高移動度Ge-CMOSデバイスの作製にNiGeコンタクト技術を応用し電気膜厚1nm以下の極薄High-k/Geスタックを有したGe-CMOSトランジスタ動作に成功した。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
1: 当初の計画以上に進展している
理由
溶融成長法で作製した引張り歪み印加GeSnからの直接遷移発光を確認すると共に、高移動度Geチャネルトランジスタにおいても極薄絶縁膜を有したCMOSトランジスタ動作に成功するなど、大きな進展がみられた。
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| 今後の研究の推進方策 |
溶融成長法で作製したGeSn等のⅣ族混晶半導体材料の光物性は、基礎科学の観点からも極めて興味深い研究テーマであり、さらに詳細な光物性の評価解析を継続する。一方、次年度以降ではフレキシブル基板への応用展開を加速し、透明フレキシブル基板上に作製した溶融成長Ⅳ族混晶材料の光電子物性の解析や、デバイス試作への活動を強化する。
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