| 研究課題/領域番号 |
25246028
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
渡部 平司 大阪大学, 工学研究科, 教授 (90379115)
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| 連携研究者 |
志村 考功 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (90252600)
細井 卓治 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (90452466)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | 界面物性 / 界面反応 / Ⅳ族混晶半導体 / ゲルマニウム / 光電子融合デバイス |
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| 研究成果の概要 |
ナノ空間溶融結晶化技術を駆使して、無転位単結晶GOI構造ならびにGeSn混晶半導体の作製に成功した。本手法では半導体層への引張り歪み印加や、固溶限を越える高Sn組成のGeSn結晶の液相成長が可能となる。GeやGeSn層とチャネルとして薄膜トランジスタを試作し、高いキャリア移動度を実証し、高性能電子デバイスへの有用性を示した。さらに、高Sn組成引張り歪みGeSnを用いた光デバイスでは、近赤外域の受光感度の増加や、直接遷移発光の飛躍的な増大を達成し、光電子融合デバイス実現に向けた原理実証に成功した。
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| 自由記述の分野 |
薄膜工学
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